1、M0内核和大空间设计

·M0核，主频最高26 MHZ

·512KB Flash/64KB SRAM (V85XXP)

·256KB Flash/32KB SRAM(V85XX)

2、低功耗

·正常模式: 1.6 mA @6.5MHz(V85XX)

·正常模式: 2.1 mA @6.5MHz(V85XXP)

·休眠模式(LCD关闭):2.9uA(V85XX)

·休眠模式(LCD关闭):5.4uA(V85XXP)

·2个UART32K和2个比较器可休眠状态下工作

3、外设丰富

·双帧缓存LCD控制器

·4路DMA控制器

·最多支持8路外部输入ADC

·内置32KHz及6.5MHZRC时钟

·最多6个UART控制器，具有奇偶校验功能

4、安全性强

·内置硬件 AES256/192/128 加密模块

5、迭代升级

·增加2路SP接口

·增加硬件能量桶

·抗EMC性能提升

·增加真随机数模块

·ECC256加密速度提升

6、工作电压和温度

·工作电压:2.2V~5.5V

·工作温度:-40°C~+85°C

智能仪表、通信模组、智能家居、新能源充电桩、白色家电等领域。